| 申请日期 | 2025-07-20 | 申请号 | CN201710283968.3 |
| 公开（公告）号 | CN107043263A | 公开（公告）日 | 2017-08-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 天津大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种低温无压烧结氮化硅陶瓷的制备方法；以α‑氮化硅和烧结助剂总量为基准，α‑氮化硅的质量含量为75‑97％，加入烧结助剂质量含量为3‑25％，将混合粉体球磨混合、干燥；将混合粉料经过造粒、成型，制备出预备烧结体；将预备烧结体排胶后，在1500‑1600℃烧结，得到氮化硅陶瓷材料。本发明制备的低温烧结氮化硅陶瓷，克服了传统稀土氧化物助烧剂烧结温度高的缺点，在低温烧结下即可获得相对密度98％，弯曲强度671MPa，α‑氮化硅完全转化成β‑氮化硅的氮化硅陶瓷材料。 | ||
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