| 申请日期 | 2025-09-18 | 申请号 | CN201110034502.2 |
| 公开（公告）号 | CN102629517A | 公开（公告）日 | 2012-08-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 李崇新 | ||
| 简介 | 一种太空真空工艺多层叠片电容生产方法其特征主要是在太空真空环境下堆叠成多层片状电容，解决了现行解决了现行堆叠烧结工艺存在的陶瓷介质空洞裂纹和分层的问题，以及目前市场上NPO材质电容绝缘材质用到价贵稀土材料，存在成本高，配制工艺复杂成本高的问题；同时也解决了金属化电容的电老化与热老化等的问题；本发明的电容能在300多度高温下工作的长寿命电容，是一种军用级电容的生产方法和技术，体积比现行的叠层陶瓷电容缩小五倍左右；太空纳米级工艺电容可代规现行的叠层陶瓷电容钽电容以及金属化薄膜电容意义，本发明的电容生产方法是一种全新的革命性的电容生产方法。 | ||
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