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· For electroluminescent display device a passivated silicon oxynitride and activated by a rare eart 发明申请

2023-07-19 1390 155K 0

专利信息

申请日期 2025-07-19 申请号 JP2004534900
公开(公告)号 JP2005538227A 公开(公告)日 2005-12-15
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 Love Fire Technology Corporation502296936
简介 A novel structure is provided to improve the operating stability of thioaluminate based phosphors used in ac thick film dielectric electroluminescent displays. The novel structure comprises a rare earth activated alkaline earth thioaluminate phosphor thin film layer and a silicon oxynitride layer provided directly adjacent the top and/or bottom of the phosphor thin film layer, wherein said silicon oxynitride layer comprises a composition of Si3NxOyHz where 2<=x<=4, 0


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