一种同带光子级联半导体激光器

文件类型：PDF文档
文件大小：364K
本发明公开了一种同带光子级联半导体激光器，衬底和制备在衬底上的半导体激光外延结构，半导体激光外延结构自衬底侧向上依次包括：N型DBR层、稀土元素掺杂层、N型波导层、半导体量子阱层、P型波导层、氧化层、P型DBR层；N型DBR层、N型波导层、半导体量子阱层、P型波导层、氧化层、P型DBR层构成第一激光谐振腔，N型DBR层、稀土元素掺杂层、P型DBR层构成第二激光谐振腔，第一激光谐振腔和第二激光谐振腔形成同带光子级联复合腔。本发明通过稀土元素掺杂层实现能级跃迁过程中能量的高效利用，提高发光效率，并实现窄线宽激光输出。