一种R-T-B类钕铁硼磁体及其制备方法和应用

文件类型：PDF文档
文件大小：543K
本发明公开了一种R‑T‑B类钕铁硼磁体及其制备方法，所述磁体按质量比为100％计，所述磁体包含如下成分：27.0～35.0wt％的R，R为包括Nd的至少一种稀土元素；0.80～0.93wt％的B；0.1～0.50wt％的Cu；0.2‑0.5wt％的Ga；0～0.5wt％的M，M为Zr、Ti中的至少一种，且Cu、Ga和M的含量之和大于0.9倍的B的含量；0.1～1.5wt％的Al；余量为Fe、Co以及不可避免的杂质、且Fe占Fe、Co和杂质总含量的95wt％以上。本申请通过调整R，Cu，Ga，M元素的比例，且Cu、Ga和M的含量之和大于0.9倍的B的含量，在合金铸片制成粉末之前，对合金铸片进行750±50℃的保温处理，可在保证90vol％的主相前提下，能够在磁体晶界处形成体积分数40vol％以上的R‑Ga‑Cu‑M相，同时在一定程度上减少R‑T‑Ga相的存在，避免因R‑T‑Ga相较多，使磁体的Hcj降低。