一种烧结钕铁硼磁体晶界扩散的方法

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本发明公开了一种烧结钕铁硼磁体晶界扩散的方法，首先将扩散源附着在烧结钕铁硼磁体表面形成涂层，然后进行脱氢处理，最后对涂层进行扩散处理，扩散源为R1‑R2‑M型合金的氢化物粉末，R1‑R2‑M型合金的熔点为400‑800℃，R1为La、Ce、Nd和Pr中的至少一种稀土元素或者为La、Ce、Nd和Pr中的至少一种稀土元素与除La、Ce、Nd和Pr以外的其他一种或者多种稀土元素的混合物，R2为Tb、Dy和Ho中的至少一种元素，M为Cu、Al和Ga中的至少一种元素或者为Cu、Al和Ga中的至少一种元素与除Cu、Al和Ga以外的其他一种或者多种非稀土元素的混合物，脱氢处理的真空度优于10‑2Pa，温度为950‑1050℃，时间为0.5‑5h；优点是扩散难度小，扩散效率高，且扩散效果好，适用于批量化操作。