一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法

文件类型：PDF文档
文件大小：273K
本发明公开了一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法，首先将熔点温度为400‑900℃、且含有至少一种稀土元素的合金加热至熔融，合金的加热温度高于合金的熔点温度且低于1000℃，然后将预热至温度为800℃‑1000℃的烧结钕铁硼磁体浸入扩散源中，浸泡时间不超过30s，接着烧结钕铁硼磁体拉出扩散源的液面后，采用风刀将温度为800℃‑1000℃的惰性气体喷射到烧结钕铁硼磁体表面，最后对烧结钕铁硼磁体不降温，先在800℃‑1000℃条件下对进行晶界扩散处理，然后在450℃‑550℃条件下进行低温回火处理；优点是扩散效率高，且过渡流转环节少，工艺过程简单，连续性强。