一种还原渗Dy/Tb制备高性能钕铁硼磁体的方法

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本发明公开了一种还原渗Dy/Tb制备高性能钕铁硼磁体的方法，属于稀土永磁材料技术领域，包括熔炼、制粉、成型、烧结时效、涂覆、氢气还原、二次成型、烧结等步骤，本方法处理过的钕铁硼磁体，剩磁和磁能积变化不大，矫顽力大幅提高；相比通过磁体中的Nd直接置换磁体表面涂覆的Dy或者Tb化合物中的Dy或者Tb，本方法的一个显著优点在于通过氢气还原Dy或Tb的氧化物或者氟化物，同时破碎烧坯使Dy或Tb更好的进入晶粒境界，大大提高了渗Dy、渗Tb的速度，渗层厚度大幅增加，同时，本发明操作过程简单，用氢气还原可操作性强，大大降低了生产成本。