文件类型:PDF文档
文件大小:447K
本发明专利公开了一种R‑Fe‑B类烧结磁体的制造方法。其主要步骤包括:准备R‑Fe‑B类烧结磁体作为基体;在基体表面布置包括金属镝、氢化镝、铽、氢化铽的至少一种重稀土RHX层, 在RHX层上布置包含氟化镨、氟化钕、氧化镨、氧化钕至少一种的RLF层;在扩散炉内加热处理,使重稀土RHX通过基体表面扩散至磁体内部。本发明通过在磁体重稀土RHX层外布置氟化镨、氟化钕、氧化镨、氧化钕涂层的RLF层,一方面实现磁体在扩散过程中可以相互堆叠放置防止粘连的作用,另一方面保护重稀土RHX层扩散过程不被氧化,防止重稀土RHX层在磁体表面被氧化影响扩散效果,并且可以防止扩散过程中基体R‑Fe‑B磁体中R元素的挥发,保证磁体的剩磁几乎不降低。