一种无稀土掺杂高居里温度压电陶瓷元件及其制备方法

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本发明公开了一种无稀土掺杂高居里温度压电陶瓷元件，所述无稀土掺杂高居里温度压电陶瓷元件的化学通式为：(1‑x‑y)CaBi2Ta2‑aNbaO9+xNa0.5‑bKbBi2.5Nb2O9+ySrBi2Nb2‑cSbcO9+zwt％P，其中，0.05≤x≤0.85，0≤y≤0.1，0

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