氧氮化物半导体薄膜与其制造方法，及薄膜电晶体

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[所欲解决之技术问题]; 藉由氧氮化物结晶薄膜，提供一种氧化物半导体薄膜，其具有比较高的载体移动度，适合作为TFT之通道层材料; [解决问题之技术手段]; 将含有In、O及N的非晶质之氧氮化物半导体薄膜，或含有In、O、N及添加元素M(M是选自Zn、Ga、Ti、Si、Ge、Sn、W、Mg、Al、Y及稀土类元素的一种以上之元素)之非晶质氧氮化物半导体薄膜，藉由加热温度200℃以上、加热时间1分钟至120分钟的退火处理，获得结晶质之氧氮化物半导体薄膜