一种半导体用热沉材料

文件类型：PDF文档
文件大小：137K
本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种半导体用热沉材料，其原料按重量份计包括石墨烯20～30份、稀土氧化物10～15份、纳米碳管4～8份、碳化硅3～6份、银导电胶1～5份、氧化钒1～3份、碳酸钙3～5份、羟甲基纤维素钠4～6份、AlN颗粒10～15份、氧化镁10～20份、三氧化二锑5～10份、偏硅酸钠2～4份。该热沉材料具有良好的效果，且更容易与LED芯片贴合，表面绝缘性及阻燃性能良好。