一种稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料及其制备方法

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本发明公开了一种用于相变存储器的稀土Er掺杂Ge2Sb2Te5薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(Er)x(Ge2Sb2Te5)100‑x，其中0< x≤1.4，制备方法具体步骤为：将稀土Er靶材安装在磁控直流溅射靶中，控制Er靶的溅射功率为0‑4W，合金Ge2Sb2Te5靶的溅射功率为70‑78W，于室温下溅射镀膜，溅射100nm，即得到沉积态的Er掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料；优点是该薄膜材料具有单一稳定的面心立方结构相，具有较高结晶温度，较大的晶态电阻，较大非晶态与晶态之间明显的电阻差异，较好的热稳定性。