用于GaN基底应用的磷属化物缓冲结构和装置

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本结构可以包括具有第一晶格常数的-层、在-层上外延生长的具有第二晶格常数的第一稀土磷属化物层、于第一稀土磷属化物层上外延生长的具有第三晶格常数的第二稀土磷属化物层、以及在第二稀土磷属化物层上外延生长的具有第四晶格常数的半导体层。第一晶格常数和第二晶格常数之间的第一差异以及第三晶格常数和第四晶格常数之间的第二差异小于1%。