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本发明公开了一种大面积超薄单晶及其快速生长方法。该方法包括:以荧光粉和氧化物基质为原料,或者以荧光粉、氧化物基质和稀土氧化物为原料,制备得到流模片后,再进行晶体生长,得到所述单晶。该方法具有如下优势:发光离子分布均匀浓度可控,大面积超薄片,超短生长周期,生长温度低,成本低产量高。
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