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本发明公开了一种稀土离子掺杂Na5Lu9F32单晶体及其生长方法。在Na5Lu9F32单晶体中掺入Ce3+、Eu3+或Tb3+离子。该晶体的密度大(5.85g/cm3)、最大声子能量低(440cm 1)、发光效率高、物化性能稳定,该单晶体是一种优秀的闪烁材料。用加热温场上移法进行晶体生长具有设备简单、实用性强等特点,该技术可克服由于机械传动对晶体所带来的色带、生长条纹等缺陷,有利于获得优质单晶体。
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