积层构造体、半导体制造装置用构件及积层构造体的制造方法

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积层构造体10系包括：第1构造体12、第2构造体14和反应层15，第1构造体12系以镁-铝氧氮化物，来作为主相，第2构造体14系以氮化铝，来作为主相，包含具有石榴红型之结晶构造之稀土类铝复合氧化物之粒界相，反应层15系存在於第1构造体12和第2构造体14之间，成为稀土类铝复合氧化物之粒界相18之稀薄之氮化铝层该积层构造体10系反应层15之厚度为150μm以下此外，积层构造体10系第1构造体12和第2构造体14之线热膨胀系数之差异为0.3ppm/K以下积层构造体10系藉由在第2构造体14之烧成时，粒界相18扩散至第1构造体12部分，而以该粒界相18成为稀薄之扩散界面17，来形成反应层15