稀土倍半氧化物激光晶体的导模法生长方法

文件类型：PDF文档
文件大小：443K
本发明涉及稀土倍半氧化物激光晶体的导模法生长方法，晶体的化学式表示为(LnxRe1-x)2O3，其中0< x< 0.5，Ln＝Yb、Nd、Dy、Ho、Er、Tm、Pr，Re＝Y、Sc、Lu、Gd。晶体生长包括装炉、熔料、生长和冷却四个步骤，利用导模中狭缝对熔体的虹吸作用，生长出所需形状和尺寸的稀土倍半氧化物激光晶体。本发明能有效抑制高温熔体表面漂浮物对晶体光学质量的影响，在较短周期内制备出数厘米的晶体，工艺操作简单，并可减少晶体加工过程中晶料的损耗，成本低廉。