一种导电网络结构Si3N4陶瓷的制备方法

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本发明公开了一种导电网络结构Si3N4陶瓷的制备方法，包括下列步骤：1)以Si粉为原料，以Al2O3-Re2O3为烧结助剂，经混料、球磨、干燥后，得到Si-Al2O3-Re2O3混合粉体；其中Re为稀土元素；2)将步骤1)得到的Si-Al2O3-Re2O3混合粉体定型，在氮气氛下进行预烧，将预烧后的坯体在MO2溶胶中浸泡0.5～24h，烘干后，在氮气氛下进行二次烧结，制备得到具有导电网络结构Si3N4陶瓷。本发明所得到的Si3N4陶瓷相对密度大于95%，电导率达到1000～3000S m-1，硬度为8～20GPa，断裂韧性为6～12MPa m1/2，抗弯强度为800～1200MPa。本发明的Si3N4陶瓷可以应用于电火花加工成任意形状的工件，尤其是陶瓷涡轮叶片这种形状复杂的工件，这是目前市面上普通Si3N4陶瓷所不具备。