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本发明公开了一种含Sm、纳米Mo的芯片堆叠互连材料，属于芯片互连材料领域。该互连材料的稀土元素Sm含量为0.01～0.5％，纳米Mo颗粒为3～8％，其余为In。首先采用机械研磨制备In-Sm中间合金粉末，其次混合In-Sm粉末、In粉末、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌，最后添加纳米Mo颗粒，充分搅拌制备膏状含Sm和纳米Mo颗粒的互连材料，采用喷印工艺在芯片表面制备凸点，在一定压力(1MPa～10MPa)和温度(170℃～260℃)条件下实现三维空间的芯片垂直互连，形成高强度互连焊点。本互连材料具有高可靠性，可用于三维封装芯片堆叠。