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本发明涉及稀土元素Tm掺杂的铌酸银反铁电陶瓷材料及其制备方法,所述稀土元素Tm掺杂的铌酸银反铁电陶瓷材料为单一钙钛矿结构,其组成通式为Ag1‑3xTmxNbO3,其中,0.01≤x≤0.08。
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