一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法

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本发明涉及一种无硼或稀土元素的致密碳化硅陶瓷的制备方法，包括：1)将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛后得到混合粉体，并采用混合粉体压制得到陶瓷素坯；2)将陶瓷素坯在真空、650℃～1050℃下加热裂解；3)将热裂解后的陶瓷坯体在氮气气氛、1550℃～1750℃下进行碳热还原反应；4)将碳热还原反应后的陶瓷素坯在惰性气氛、2050℃～2300℃下烧结得到致密碳化硅陶瓷。采用本发明方法制备的碳化硅陶瓷中含有Si、Al、C、O和N元素，均为中子吸收截面小的元素，不含中子吸收截面大的B或稀土元素。