记忆胞、记忆装置与其形成方法

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一种记忆胞包括位于半导体基底之上的薄膜电晶体。所述薄膜电晶体包括：接触字元线的铁电()材料所述铁电材料是含铪化合物且所述含铪化合物包括稀土金属；及接触源极线及位元线的氧化物半导体()层其中所述铁电材料设置在所述氧化物半导体层与所述字元线之间。