新型磁光单晶材料生长方法

文件类型：PDF文档
文件大小：385K
本发明涉及一种新型磁光材料的生长技术和光纤通信领域，特别涉及一种液相外延法生长掺Bi稀土石榴石薄膜(ReBi)3Fe5O12的生长技术，包括如下步骤：(A)将纯度为将纯度99.99%以上的PbO、B2O3、Bi2O3、Fe2O3、Re2O3粉料按确定的比例混合均匀后装入铂坩埚中，再放入液相外延炉中；(B)对铂坩埚中的原材料进行加热并旋转，使之充分融化并且成分均匀。本发明的有益效果是：液相外延法生长掺Bi磁光薄膜，不但大大缩短的生长周期，并且厚度能达到几百微米，既能达到旋光率的要求，又便于加工，减小磁光器件的体积和重量，实现器件集成化。