一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法

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本发明公开了一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法，是采用坩埚下降法工艺，其特征在于：所述的籽晶是径向尺寸为10～25mm的圆形或方形的钨酸铅晶体；所述的坩埚包括呈圆锥状籽晶端，籽晶端的放肩角为30～45度；晶体生长时，需控制放肩阶段最大下降速率为0.4～0.8mm/h，晶体生长阶段最大下降速率为0.8～1.2mm/h。本发明用坩埚下降法工艺，实现了采用较小直径的籽晶生长得到直径达50mm的掺杂稀土离子的PWO大单晶，且制得的大单晶在机械加工中不易开裂，可满足发光材料的应用要求；而且，本发明的制备工艺简单，生长后的晶体无需复杂的退火后处理，即可满足机械加工要求，具有工业化应用价值。