薄膜电晶体之半导体层用氧化物及溅镀靶、以及薄膜电晶体

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系提供一种薄膜电晶体的开关特性佳，即使在ZnO浓度特高之区域，且即使在形成保护膜後以及施加应力後，亦可稳定地得到良好特性之薄膜电晶体半导体层用氧化物。本发明之薄膜电晶体之半导体层用氧化物，为使用在薄膜电晶体的半导体层之氧化物，前述氧化物系含有Zn及Sn，且进一步含有选自由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga、及稀土类元素所组成之X群的至少一种元素。