高掺杂宽带激发稀土上转换荧光纳米材料及其制备方法

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本发明公开了一种高掺杂宽带激发稀土上转换荧光纳米材料及其制备方法，属于发光材料技术领域。解决了现有技术中上转换荧光材料发光中心的掺杂数量少、吸收界面窄、发光效率低的问题。本发明的高掺杂宽带激发稀土上转换荧光纳米材料以NaYF4为基质，掺杂稀土敏化离子，高掺杂稀土发光中心离子，具有纳米晶微观形态，纳米粒子为同质核壳结构，在纳米粒子的表面复合有有机天线分子，所述有机天线分子的宽带吸收范围为红外区750nm-1100nm，并且覆盖980nm。本发明的荧光纳米材料具有1.2%的高上转换发光效率，纳米粒子粒径最小可达到25nm且分布均匀。