包括亚铁磁层之自我参照磁性随机存取记忆体(MRAM)单元

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MRAM单元包括一磁性穿隧接面, 其包括一储存层, 该储存层具有一净磁化向量, 当该磁性穿隧接面处於一高温定限値下时, 其可从一第一方向调整为一第二方向, 且在一低温定限値下固定不变; 一感测层, 其具有一可反转的净感测磁化向量; 及一穿隧障壁层, 其介於该感测与储存层之间; 该储存与感测层的至少一个包括一亚铁磁3d-4f非晶合金材料, 其包括一3d过渡金属原子的次晶格, 其提供一第一磁化向量; 及一4f稀土金属原子的次晶格, 其提供一第二磁化向量, 以致在该储存层及该感测层之该至少一个的一补偿温度下, 该第一磁化向量及该第二磁化向量本质上相等。所揭示的MRAM单元可分别使用一小写入及读取场来进行写入及读取。