一种形貌可控的一维硅纳米材料的制备方法

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本发明属半导体微电子、纳电子技术领域，具体为一种形貌可控的一维硅纳米材料的制备方法。该方法以硅(Si)和一氧化硅(SiO)混合粉末为原料，在较高温度和较低气压条件下，通过添加稀土元素镧(La)作为一种特别的气化调节剂来调节硅的一维纳米材料的形貌。该方法制备出的纳米材料的形貌主要有硅纳米线、硅纳米管和硅纳米链，通过调节镧粉在混合粉末中的比例，可以得到以上三种不同形貌的硅纳米材料。该调制方法工艺简单，操作简便，与现行使用设备的兼容性强，不用大幅提升成本，能够满足现代工业的基本要求。