一种添加有稀土的多相强化型电子封装材料及其制备方法

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一种添加有稀土的多相强化型电子封装材料，由以下重量百分比的组分构成：1.0～8.0%的镍，0.25～2%的硅、0.1～0.2%的铁、0.01～0.05%的磷、0.1～0.4%的镁、0.2%～0.6%的稀土元素，余量为铜和不可避免的杂质元素，所述的稀土元素为铈和钇中的一种或两种。本发明采用独特的制备工艺，通过在Cu‑Ni‑Si合金中添加合金元素Fe、P、Mg以及微量稀土元素Ce和Y，对铜合金整体进行了多相强化合金处理。制备出了一种抗拉强度较高，导电率可达63 IACS%以上，且各项综合性能优异的Cu‑Ni‑Si合金电子封装材料，以满足电子封装用铜合金的性能要求。