一种稀土Er掺杂SnO2薄膜晶体管及其制备方法

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本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种稀土Er掺杂SnO2薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用磁控溅射法在SiO2介质层上制备ErSnO沟道层，源漏电极采用ITO透明导电薄膜。本发明将稀土Er材料通过物理的方法掺杂进SnO2半导体中，有效地抑制了SnO2半导体的缺陷态。制备的场效应薄膜晶体管器件综合性能优良，器件场效应迁移率大于3.0 cm2V‑1s‑1，开关比大于106，阈值电压大于‑9 V，亚阈值摆幅小于1 Vdec‑1，具有广阔的工业应用前景。