文件类型:PDF文档
文件大小:174K
本发明涉及一种陶瓷材料技术领域,具体是一种氧化镧氧化钇作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其组分及质量百分比含量为:氧化镧3%~7%,氧化钇5%~8%,氮化硅85%~92%。目的在于克服现有技术的不足,提供一种氧化镧氧化钇作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法,可广泛用于化工、机械、冶金、航空航天等领域的零部件制备。
0下载487浏览308K
0下载219浏览1976K
0下载527浏览1680K
0下载448浏览753K
0下载200浏览407K
0下载150浏览131K
0下载287浏览1188K
0下载520浏览8472K