一种半导体结构及其形成方法

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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括形成在所述半导体衬底中的沟道区，以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区；和形成在所述半导体衬底中、所述有源区两侧的隔离沟槽，所述隔离沟槽中形成有稀土氧化物层，所述稀土氧化物层对所述沟道区引入沿所述沟道区长度方向的应力。通过在半导体器件的沟槽隔离区域形成稀土氧化物层作为绝缘物，从而向半导体器件的特定区域引入应力，显著提升半导体器件的迁移率，并且，利用稀土氧化物的晶体特性，以晶体生长取代传统的复杂的绝缘物填充方式，极大地简化了工艺流程。