半导体结构及其形成方法

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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的凹槽，所述凹槽中填充有稀土氧化物；部分或全部位于所述稀土氧化物上沟道区；和位于所述沟道区两侧的源区和漏区。通过在半导体器件的源区和漏区下方形成稀土氧化物层，从而向CMOS器件的源漏区和沟道区引入类型和大小可调的应力，显著提升半导体器件的迁移率，并且，利用稀土氧化物的晶体特性，以晶体生长的方式形成应力源，极大地简化了工艺流程。