SiC单晶的制造方法

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本发明涉及一种SiC单晶的制造方法。该方法包括：在石墨坩锅内的底部放置SiC籽晶；使包含Si、C和R(R是选自包含Sc和Y的稀土元素中的至少一种)或X(X是选自Al、Ge、Sn和不包括Sc和Y的过渡金属中的至少一种)的溶液存在于石墨坩埚中；将溶液过冷以使得SiC单晶在籽晶上生长；从石墨坩锅上方将粉末状或者粒状Si和/或SiC原料加入到溶液中，同时保持SiC单晶的生长。