一种稀土离子掺杂硅酸镥多晶薄膜的制备方法

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本发明涉及一种稀土离子Re3+(Re=Ce, Tb)掺杂的Lu2SiO5(LSO)多晶发光薄膜的制备方法，属稀土化合物发光薄膜制备工艺技术领域。本发明方法的特点是以氯化镥、无水乙醇、正硅酸乙酯、硝酸铽、硝酸铈为原料，以柠檬酸为络合剂，采用Pechini溶胶凝胶法获得LSO : Re3+前驱体溶胶，将该前躯体溶胶旋涂、热处理后获得前躯体薄膜，置于马弗炉中在800-1200°C下进行煅烧处理，并保温2小时，然后在空气中自然冷却，最终获得Ce3+或Tb3+离子掺杂的硅酸镥多晶发光薄膜。本发明方法的优点是合成温度低、掺杂均匀、设备价格低以及制备工艺简单，制得的薄膜表面光滑平整、无裂纹且具有良好的显微结构和光学性能。