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本发明提供一种半导体装置,例如一电晶体或电容。该装置包含:一基板;一闸极介电层,位於该基板之上;及,一导电性闸电极薄膜,位於该闸极介电层之上。该闸极介电层,包含一混合稀土铝氧化物薄膜、混合稀土铝氮化物薄膜或混合稀土铝氧氮化物薄膜,此薄膜含有铝及至少2种不同的稀土金属元素。
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