半导体制造装置用零件

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[所欲解决之技术问题]; 本发明之课题在於抑制稀土类氢氧化物的飞散及第一陶瓷构件与第二陶瓷构件之接合强度的降低; [解决问题之技术手段]; 本发明之解决手段在於提供一种半导体制造装置用零件，其具备藉由以AlN为主成分之材料所形成之第一陶瓷构件、藉由以AlN为主成分之材料所形成之第二陶瓷构件、以及配置於前述第一陶瓷构件与前述第二陶瓷构件之间且接合前述第一陶瓷构件与前述第二陶瓷构件之接合层，前述接合层包含由化学式ABO3(惟，A为稀土类元素，B为Al)所表示之钙钛矿型氧化物，且不包含仅具有稀土类元素与氧之稀土类单一氧化物