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本发明涉及储能薄膜材料领域,公开了一种稀土元素改性的宽温薄膜储能电容器及其制备方法;该制备方法在高温、高氧压环境下,利用超高真空射频磁控溅射技术,通过等离子体对靶材轰击,使靶材粒子沉积在基片上,并实现外延生长,得到BHT外延薄膜。因射频磁控溅射技术的特点,本身薄膜的生长速度较慢,使得通过该方法制备出的薄膜晶粒尺寸均匀,薄膜表面平整,结晶度好,结合BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷靶材优良的储能特性,使其该陶瓷靶材作为BT‑基储能材料的储能特性进一步增强。