基板处理方法及使用其之半导体装置之制造方法

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本发明的基板处理方法, 系包括有 : 准备含有稀土族氧化物及硷土族氧化物中至少1种的氧化膜(13、14), 且该氧化膜(13、14)至少其中一部分呈裸露出的半导体基板(W、11)之步骤; 以及对上述半导体基板(W、11)上的上述氧化膜(13、14), 供应由硷性药液或有机溶剂构成之清洗液的清洗步骤。最好上述硷性药液系pH大於7的硷性水溶液。又, 最好上述有机溶剂系大致100%以上的高浓度有机溶剂。