高Ｋ金属闸极ＣＭＯＳ

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所提供之一种用於形成一半导体元件的方法系包括在基板的p型元件区域上形成含锗层。然後, 在基板的一第二部分中形成一第一介电层, 并形成一第二介电层以覆盖该基板之该第二部分中的该第一介电层及覆盖该基板的一第一部分。接着在基板的p型元件区域与n型元件区域上形成闸极结构, 其中对应n型元件区域之闸极结构系包括一稀土金属。