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高密度氧化物薄膜系藉由脉冲DC偏压反应性溅镀法,自含钛溅靶沈积,以形成高品质含钛之氧化物薄膜。根据本发明形成钛为底质层或薄膜之方法包括藉由脉冲DC偏压反应性溅镀法在一基板上沈积含钛之氧化物层。某些实例中,该层系TiO2。在某些实例中,该层系钛之次氧化物。某些实例中,该层系TixOy,其中x介於约1与约4之间,y介於约1与约7之间。某些实例中,该层可掺杂一或多种稀土离子。此等层於能量与电荷储存以及能量转换技术。
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