用于GaN基底应用的磷属元素化物缓冲结构和器件

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一种结构可包括具有第一晶格常数的III‑N层、在III‑N层上外延生长的具有第二晶格常数的第一稀土磷属元素化物层、在所述第一稀土磷属元素化物层上外延生长的具有第三晶格常数的第二稀土磷属元素化物层和在所述第二稀土磷属元素化物层上外延生长的具有第四晶格常数的半导体层。第一晶格常数和第二晶格常数之间的第一差异以及第三晶格常数和第四晶格常数之间的第二差异小于百分之一。