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本发明提出了一种层型结构(1100,1030),其包含外延生长在金属层之上的结晶压电III‑N层(1110,1032),所述金属层外延生长在半导体(1102,1002)上的稀土氧化物层之上。所述稀土氧化物层包括至少两个分立部分(1104,1004),并且所述金属层包括至少一个金属部分(1108,1006),所述金属部分与邻近的分立部分部分交叠,优选地在气隙(1008)上形成桥,所述层型结构特别适合用于RF滤波器。
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