用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料及方法

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本发明涉及用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料及方法，其特征在于所述的薄膜材料以单晶硅为衬底组成的材料，通式为Re1-xCexMnO3，式中0＜x＜1，Re为稀土离子中的任一种；材料的高低电阻态之间的电阻值相差5～6数量级。本发明提供了相应的薄膜材料制作方法，并对薄膜材料的EPIR效应进行了测定。