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本发明提供一种用于磁制冷的稀土-铜-硅材料,该稀土-铜-硅材料为以下通式的化合物:RCuSi,其中R为Ho、Er、Dy、Tb或Gd。本发明的稀土-铜-硅材料,在各自相变温度附近均具有大的磁熵变,其中HoCuSi的磁熵变高达33.1J/kg·K,远大于同温区磁制冷材料的磁熵变,并且具有较大磁制冷能力及良好的热、磁可逆性质,是非常理想的低温区磁制冷材料。
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