一种掺杂稀土元素的化合物半导体材料及其生长方法

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一种掺杂稀土元素的化合物半导体材料，所述半导体材料是由III族元素和V族元素构成的晶体材料，并掺杂有稀土元素，所述晶体材料中进一步包括替位掺杂物，所述替位掺杂物为一种III族元素或多种III族元素的组合，且所含有的III族元素的原子序数小于构成晶体材料的III族元素的原子序数，所述替位掺杂物在晶体中替代原有的III族元素形成替位缺陷。本发明还提供了上述材料的制备方法。本发明的优点在于，通过在材料中掺杂原子序数较小的元素，形成替位缺陷，以改善半导体材料由于掺杂稀土元素而引起的晶格畸变，从而提高材料的发光效率。