半导体器件及其制造方法

文件类型：PDF文档
文件大小：982K
在Si衬底(11)的表面形成p阱(12)，形成元件分离绝缘膜(13)。接着，在整个面上形成薄的SiO2膜(14a)，在其上作为绝缘膜(14b)形成含有稀土类金属(例如La、Y)和Al的氧化膜。而且，在绝缘膜(14b)上形成多晶硅膜(15)。然后，通过进行例如1000℃左右的热处理，使SiO2膜(14a)和绝缘膜(14b)进行反应，形成含有稀土类金属和Al的硅酸盐膜。即，将SiO2膜(14a)和绝缘膜(14b)成为单一的硅酸盐膜。