铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法

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本发明涉及热敏电阻材料，具体涉及以BaBiO3为基础相的陶瓷材料及 其制备方法。所述铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷，其化学通式为 (Ba1-xAx)(SbyBi1-y)O3，式中A为稀土金属元素，0＜x≤0.01，0＜y＜0.1。 该半导体陶瓷可采用传统电子陶瓷制备工艺制备，具体包括配料，焙烧， 造粒，压型，烧成和电极制备6个步骤。与现有技术相比，本发明铋酸钡 系负温度系数半导体陶瓷制备工艺简单，导电性能良好，室温电阻率和温 度系数可调，克服了现有负温度系数热敏电阻陶瓷材料室温电阻率大的不 足，可实现室温电阻率为35Ω·cm，而温度系数B值为3147K的以BaBiO3 为基础相的负温度系数热敏电阻半导体陶瓷。