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本发明涉及一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料和进一步掺杂稀土元素铕的铝掺杂 α相氮化硅(α-Si3N4)基材料,及其制备方法。本发明的铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料 光学带宽约为2.64eV,相比于纯净氮化硅其光学带宽大大降低,使得它在半导体光电器 件方面的应用成为可能;掺杂稀土元素Eu的铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料呈现出以 582nm为中心、半高宽为100nm的黄-橙色发射光谱,具有优良的发光性能,使得它在半 导体固态照明的应用方面的应用成为可能。